RK2918新标杆 音悦汇W15抢鲜体验评测

2、缓存芯片：现代H5TQ2G63BFR

　　音悦汇W15采用两片现代H5TQ2G63BFR DDR3 SDRAM缓存芯片，单片容量为128Mb×16（256MB），相比其它各类平板产品的DDR2 SDRAM缓存，W15中的现代DDR3缓存具有更高的运行效能与更低更稳定的电压。

音悦汇W15 DDR3缓存芯片：现代H5TQ2G63BFR

　　DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。

音悦汇W15 DDR3缓存芯片结构示图

　　DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。而且，DDR3 SDRAM加入了RASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

音悦汇W15 DDR3缓存芯片针脚示图

　　现代H5TQ2G63BFR缓存芯片采用96ball FBGA封装；半导体集成制作工艺；单极型导电，相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低功耗。DDR3 SDRAM缓存芯片是DDR2 SDRAM的后继者，将其四倍资料率同步动态随机存取内存增加至八倍。另外，新增了SRT可编程化温度控制内存时脉功能，让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况。

3、闪存芯片：现代H27UBG8T2ATR

音悦汇W15的闪存芯片是现代H27UBG8T2ATR

现代H27UBG8T2ATR闪存的主要特点

现代H27UBG8T2ATR闪存的应用

　　音悦汇W15搭载两片现代HUNIX H27UBG8T2ATR NAND FLASH闪存芯片，每片的容量为4GB，合共8GB。在平板电脑使用中，难免需要放入大量的游戏、软件、视频、MP3、电子书文件，8GB的大容量，还能通过TF卡（最高32GB）将容量扩展至40GB，以满足W15日常使用所需的大容量存储空间。>>