28纳米四核芯 原道N80四核RK续航称王

　　续航一直是平板用户最关心的话题之一，操控平板的乐趣很大程度上有续航时间长短决定。影响续航的因素包括机器本身的耗电量和电池容量大小，制作工艺和技术进步能为平板续航带来质的变化。在8英寸四核平板领域，大多数平板由于采用了相对落后的40纳米制程，导致运行功耗偏大、续航时间短。全新的原道N80四核RK运用更先进的28纳米制程工艺，大幅提升性能的同时，更有效降低了功耗，在电池容量想当的情况下，N80四核RK比普通40纳米四核拥有多达30%以上的续航时间。

先进28纳米制程和超低漏电技术，节电性能大幅提升

　　底层的CPU制造工艺对芯片功耗有至关重要的影响。相比40纳米制程工艺，28纳米制程能够在相同的面积上集成更密集的晶体管数量，以及进行更合理的电路设计，同时该工艺还拥有高k金属栅栏防漏电和DVFS自动频率调节技术，运行过程中能显著提升性能，降低CPU功耗。以具体的数据为例，28纳米制程比45纳米制程在性能提升55%的基础上，功耗节省高达60%；相比40纳米制程，在同等频率下能节省60%的运行功耗，在同等漏电率下可带来55%的性能提升，在游戏、视频、网页浏览和数据传输下功耗低40%，并凭借超低漏电晶体管提供更长的电池续航时间。

实现360小时待机，6小时视频播放和5小时上网

　　续航长短不光要看平板采用的工艺技术，更要以实测时长作为标准。普通40纳米四核由于功耗大，续航时间普遍较短，一般都在3小时以左右。N80四核RK拥有先进制程工艺和良好的电源管理系统，在可连续播放6小时视频；可待机时长超过360小时，正常使用情况下，续航时间长达7小时。

　　技术进步能够为我们的生活带来实实在在的好处。以28纳米原道N80四核RK为标志，平板电脑已经进入了真正的四核时代。28纳米、四核A9核心以及高达1.8GHz的主频，这些技术进步为四核平板性能带来了质的飞跃，更多节能技术和系统优化技术的加入，共同造就了N80四核RK“续航王”的地位。